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TiO2/Al2O3-Al2O3-TiO2/Al2O3绝缘结构的真空沿面闪络特性
【作者】 何良 ; 李盛涛 ; 张拓
【关键词】 真空沿面闪络 三结合点 A-B-A绝缘结构 电场强度 介电常数
【摘要】基于变插入层介电常数的多层绝缘结构能改善电场分布、提高真空沿面闪络特性.通过真空热压烧结制备了TiO2/Al2O3-Al2O3-TiO2/Al2O3（A-B-A）3层绝缘结构,A层w（TiO2）为0.5%到20%.测量了该绝缘结构的真空沿面闪络特性,发现闪络特性随w（TiO2）的增加而提高,当w（TiO2）为20%时,其脉冲初次闪络电压较同等厚度的Al2O3陶瓷提高了63%.研究发现：A层的介电常数可由w（TiO2）调控,介电常数的增大能有效降低真空-绝缘子-阴极三结合点处的电场强度;A层表面存在的TiO2颗粒可以减小二次电子发射系数并改善表面电荷分布;TiO2的电导率虽比Al2O3高,但其仍为绝缘体,即使TiO2含量较高时也不会形成贯穿的导电通道.
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