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低温增强型非晶铟镓锌氧薄膜晶体管特性研究
【作者】 李远洁 江凯 刘子龙 西安交通大学电子与信息工程学院 西安710049 西安交通大学固态照明工程研究中心 西安710049
【关键词】 薄膜晶体管 非晶铟镓锌氧化物 输运特性 磁控溅射沉积
【摘要】在室温下利用射频磁控溅射沉积非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）薄膜作为有源沟道层,分别制备了顶栅和底栅结构的薄膜晶体管（a-IGZO-TFTs）原型器件,同时研究了沟道层生长参数及后退火工艺对器件特性的影响。研究及实验结果表明：当增加底栅结构a-IGZO-TFTs器件IGZO沟道层氧气流量时,器件输出特性由耗尽型转变为增强型;当沟道宽长比为120∶20时,获得了4.8×10^5的开关电流比,亚阈值摆幅为1.2V/dec,饱和迁移率达到11cm^2/（V·s）。沟道层氧气流量为2cm^3/min的底栅结构a-IGZO-TFT器件在大气中经过300℃退火30min后,器件由耗尽型转变为增强型,获得4×10^3的开关电流比。
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