通知公告
交大新闻
04 现在的位置：首页 > 期刊导读 > 2016 > 04 >
粉体合成方法对CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的影响
【作者】 高璐 李建英 贾然 侯林林 武康宁 李盛涛 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室 西安710049
【关键词】 CaCu3Ti4O12陶瓷 粉体合成 介电性能 晶界电阻 缺陷结构
【摘要】为了深入研究粉体合成方法对CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷介电松弛机理以及缺陷结构的影响,对比了固相反应法和溶胶凝胶法合成CCTO陶瓷的介电性能,并且在此基础上引入了CCTO陶瓷的缺陷结构分析。采用固相反应法和溶胶凝胶法合成了CCTO粉体,在1 080℃下烧结4h制备了CCTO陶瓷样品。溶胶凝胶法合成陶瓷的平均晶粒尺寸是固相法合成陶瓷试样的5倍。J-E特性和介电性能分析表明,溶胶凝胶法合成陶瓷的击穿场强（170V/cm）远小于固相法合成陶瓷（4 980V/cm）,且前者的介电损耗和介电常数均达到后者的20倍左右。结合介电损耗因子的曲线拟合结果和阻抗谱分析得到,溶胶凝胶法合成陶瓷的晶界电阻为0.272 MΩ,是固相法（1.03MΩ）的1/3,松弛峰强度是固相法的15倍;两种陶瓷样品的本征松弛峰活化能和晶粒活化能均接近,说明粉体合成方法能够影响CCTO陶瓷的晶界电阻和松弛峰强度,进而影响其宏观电性能,但是对陶瓷的本征松弛机理没有影响。
© 2015 《西安交通大学学报》编辑部 地址：西安市咸宁西路28号 邮编：710049
互联网备案号：陕ICP备07500839号