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考虑可移动电荷的双栅隧穿场效应晶体管电流模型
【作者】 孟庆之 李尊朝 关云鹤 张也非 西安交通大学电子与信息工程学院 西安710049
【关键词】 隧穿场效应晶体管 可移动电荷 表面势 漏电流 解析模型
【摘要】为了解决隧穿场效应晶体管（TFET）在强反型区表面势和漏电流精度下降的问题,建立了一种考虑可移动电荷影响的双栅TFET电流模型。首先求解考虑可移动电荷贡献的二维电势泊松方程,推导出表面势、电场的解析表达式;然后利用求得的电场表达式和Kane模型得到载流子的隧穿产生率;最后利用切线近似法计算隧穿产生率在隧穿区域的积分,建立了漏电流的简洁解析模型。利用器件数值仿真软件Sentaurus在不同器件参数下对所建模型进行了验证,仿真结果表明：考虑可移动电荷的影响能够提高强反型区漏电流模型的精度;在相同器件参数条件下,考虑可移动电荷的模型比忽略可移动电荷的模型精度提高了20%以上。
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