通知公告
交大新闻
12 现在的位置：首页 > 期刊导读 > 2016 > 12 >
SiC单晶线锯切片微裂纹损伤深度的有限元分析
【作者】 高玉飞 陈阳 葛培琪 山东大学机械工程学院 济南250061 山东大学高效洁净机械制造教育部重点实验室 济南250061
【关键词】 SiC单晶 线锯切割 微裂纹损伤 有限元分析
【摘要】为了实现对碳化硅单晶（Si C）线锯切片亚表面微裂纹损伤深度快速计算与非破坏性分析,基于Si C单晶锯切加工脆性模式的材料去除机理,选择材料脆性开裂本构模型,建立了Si C单晶线锯切片微裂纹损伤深度计算有限元模型。模型通过定义开裂状态量的输出,控制晶片表面单元失效与删除,将晶片上计算点区域内未失效单元节点到晶片表面最大距离提取为微裂纹损伤深度,实现了微裂纹损伤深度的仿真计算。研究了锯切过程的最大主应力与应力变化率的变化规律,仿真计算了切片微裂纹损伤深度。结果表明：锯切过程中距切点越近,最大主应力值与应力变化率越大;工件进给速度一定时,锯丝速度提高,Si C晶片的微裂纹损伤深度降低;有限元模型的仿真计算值均小于实验测量值,结果变化趋势较一致,其相对误差范围为10%~15.92%,建立的有限元模型可以较准确地预测计算Si C单晶线锯切片微裂纹损伤深度。
© 2015 《西安交通大学学报》编辑部 地址：西安市咸宁西路28号 邮编：710049
互联网备案号：陕ICP备07500839号